新器件拥有一条专门研制和小规模生产硅基半导体探测器的1英寸至4英寸工艺流水线，洁净实验室面积200m²，洁净室级别为万级至百级。拥有TCAD半导体器件模拟软件以及较为全面的研制硅探测器的工艺技术，包括清洗、光刻、湿法和干法腐蚀、氧化、常规和快速退火、介质膜淀积、金属膜蒸镀等。实验室还拥有半导体材料表征、探测器测试、封装以及光谱测量与应用等实验条件。

   新器件半导体工艺线主要实验设备如下：

      1、光刻

  MJB4光刻机。可进行单面和双面光刻，最小特征线宽0.8微米

       2、氧化与炉管退火

   DF100-2C双管氧化/退火炉。可进行标准干氧氧化、高纯氮气保护退火

      3、白光快速退火

  RTP-300快速退火炉。升温时间可短至3秒，炉温300 °C―1050°C，退火时间1秒―60秒。

       4、磁控溅射镀膜

   SP-8A磁控溅射仪。本底真空度优于5×10^-5 Pa，3个靶位，可同时进行直流和射频2个靶的溅射。

       5、干法刻蚀

   ICP-98A电感耦合等离子体刻蚀机。本底真空度达到10^-4pa，能进行0.5微米线宽和接近90度的陡直刻蚀，刻蚀均匀性±5% (4英寸硅片)。

         6、PECVD介质膜沉积

    PECVD 400等离子体增强化学汽相沉积设备。主要制作二氧化硅、氮化硅薄膜，衬底温度室温-400°C。

        7、等离子体去胶

   CME-ICP型等离子体去胶机。低损伤，4英寸片均匀性误差±5%以内。

       8、超高真空电子束镀膜

   瑞士Balzers公司UTT400型超高真空镀膜机。真空度：10^-6―10^-7Pa，极限真空：5x10^-9Pa。已蒸镀元素种类包括W、Ta、Mo、Cr、Pt、Ti、Pd、Fe、Y、Co、Ni、Si、Dy、Mn、Aa、Au、Ag、Ga、La等。仪器用微机自动控制电子束的功率，在恒定速率下蒸镀，自动控制膜厚（指示精度0.1纳米）,可按次序蒸发三种元素的多层膜。可以在室温、高温（400°C）或低温（77°K）下镀膜。

      9、封装与测量设备

  数字示波器

  AGILENT半导体参数测试仪

  自动探针测试台

  科学级EMCCD

  蔡司光学显微镜

  皮秒激光器

  超连续谱光源SC-Pro

  自动划片机

  自动贴片机

  自动点胶机

  膜厚测量仪